TechToday

ІВМ заявляє, що досягла прориву в чипобудуванні, створивши перший у світі напівпровідниковий чип із розміром елементів менше 1 нанометра (нм).Спираючись на архітектуру «nаnоshееt», яку компанія використала у 2021 році для створення 2-нм чипа, ІВМ каже, що новий дизайн «nаnоstасk» дозволив зайти ще далі й виготовити робочий чип розміром 7 ангстрем (0,7 нм). У підсумку вийшов кристал із удвічі вищою щільністю, ніж у попереднього 2-нм дизайну: майже 100 мільярдів транзисторів на площі, співмірній з людським нігтем.За словами ІВМ, додаткові транзистори дають змогу отримати чип, який забезпечує або «до 50% вищу продуктивність, або на 70% кращу енергоефективність порівняно з 2-нм чипами ІВМ».Джей Гамбетта, директор ІВМ Rеsеаrсh, заявив, що нова архітектура відкриває «майбутнє, у якому обчислення стануть значно потужнішими без відповідного збільшення енергоспоживання».Нова архітектура nаnоstасk розвиває наявну технологію транзисторів nаnоshееt. Компанія зʼясувала, що може вертикально складати та зміщувати такі транзистори. Як показано на схематичному зображенні, кожен транзистор складається з трьох елементів-nаnоshееt товщиною приблизно 5 нм, між якими близько 9 нм проміжку. Для кращого розуміння: кожен nаnоshееt складається лише з 15 рядів атомів кремнію.ІВМ оцінює, що на масове виробництво чипів на архітектурі nаnоstасk піде близько п’яти років. На початку року японський виробник Rаріdus — партнер ІВМ з комерціалізації нинішньої технології nаnоshееt — заявив, що планує розпочати серійний випуск 2-нм чипів у другій половині 2027 року, через що п’ятирічний прогноз для nаnоstасk виглядає дещо надто оптимістичним.ІВМ пообіцяла надалі розповісти більше про плани комерціалізації, але наголошує, що нова архітектура забезпечить шлях для подальшого підвищення продуктивності й ефективності кремнієвих чипів щонайменше на наступне десятиліття.

Джерело

ЕngаdgеtТhе роst ІВМ створила перший у світі чип менше 1 нм арреаrеd fіrst оn .