Український телекомунікаційний портал

Крок уперед у розробці інтегральних схем на основі алмазної СМОS-технології Дослідницька команда з Національного інституту матеріалознавства Японії (NІМS) розробила перший у світі n-канальний алмазний МОП-транзистор (метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор). Це досягнення є значним кроком на шляху до створення інтегральних схем СМОS (комплементарних МОП) на основі алмазу, що дозволить використовувати їх в екстремальних умовах і сприятиме розвитку потужної електроніки нового покоління. Алмаз як перспективний напівпровідник Алмаз як напівпровідниковий матеріал має виняткові фізичні властивості: Ці характеристики роблять алмаз надзвичайно перспективним матеріалом для створення високопродуктивних і надійних пристроїв, здатних працювати в екстремальних умовах — таких як високі температури або сильне радіаційне випромінювання, наприклад, поблизу […]